RF反应溅射法制备NiFe/Al2O3/Co磁性隧道结研究，2004年第五届中国功能材料及其应用学术会议（9.12-9.16，北京.秦皇岛）-中国聚合物网,论文下载

RF反应溅射法制备NiFe/Al2O3/Co磁性隧道结研究

资料类型：

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关键词：

磁性隧道结 RF反应溅射隧道磁电阻

资料大小：

109K

所属学科：

分子表征

来源：

2004年第五届中国功能材料及其应用学术会议（9.12-9.16，北京.秦皇岛）

简介：

采用RF反应溅射法制备了室温下TMR值达6.5%的NiFe/Al2O3/Co磁性隧道结。样品制备采用一系列的掩模，Al2O3层的制备采用RF反应溅射并原位热氧化方法，隧道结的面积为0.2mm0.2mm。样品的I-V特性曲线说明了样品中隧道效应的存在，利用XPS分析了样品界面特性及样品成分随膜厚的变化。

作者：

张万里彭斌唐晓莉蒋洪川张怀武

上传时间：

2007-07-16 13:27:36

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