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稀释磁性半导体Pb0.954Mn0.046Se纳米晶体的合成和XANES测试
关键字:稀释磁性半导体 纳米晶体 XANES
采用高温溶剂合成法制备了稀释磁性半导体(DMS)Pb0.954Mn0.046Se纳米晶体(NCs)。使用TEM和XANES测试手段对此DMS纳米晶体进行了表征。测试结果表明,纳米晶体尺寸分布较均匀,而且掺杂在PbSe中的Mn离子仍是+2价的,同时也证实了Mn离子的掺杂导致了DMS NCs 的晶格发生了少许的改变。
http://www.polymer.cn/research/dis_info998
 
稀磁半导体研究的最新进展
关键字:稀磁半导体 居里温度 自旋-自旋交换 分子束外延法
本文系统地对于DMS的发展历史及研究现状进行了归纳总结,介绍了稀磁半导体特殊性质和机理,概述了目前DMS材料的制备方法,并对于DMS的应用前景和将来的研究方向进行了展望。
http://www.polymer.cn/research/dis_info855
 
合作论文被Scientific Reports接收并被美国半导体网站highlight
Optimization of self-catalyzed InAs Nanowires on flexible graphite for photovoltaic infrared photodetectors
http://www.polymer.cn/ss/caoyuancheng/newsshow_4735.html
 
高分子半导体复合薄膜垂直相分离分析新技术
高分子复合薄膜材料在高分子场效应晶体管、太阳能电池和热电器件领域有着广泛的应用前景。然而,由于不同组分间的化学不相容性,或者由于聚合物和衬底的相互作用,薄膜中沿着厚度方向的垂直相分离是非常普遍的现象。垂直相分离往往形成层状结构,对电子器件的性能产生非常大的影响,是该领域研究的重点。尽管如此,目前聚合物薄膜垂直相分离的分析表征技术要么耗时太长,要么很昂贵。在这篇会议论文中,我们介绍一种测试薄膜中...
http://www.polymer.cn/research/sy_info18779
 
高分子半导体复合薄膜垂直相分离分析新技术
高分子复合薄膜材料在高分子场效应晶体管、太阳能电池和热电器件领域有着广泛的应用前景。然而,由于不同组分间的化学不相容性,或者由于聚合物和衬底的相互作用,薄膜中沿着厚度方向的垂直相分离是非常普遍的现象。垂直相分离往往形成层状结构,对电子器件的性能产生非常大的影响,是该领域研究的重点。尽管如此,目前聚合物薄膜垂直相分离的分析表征技术要么耗时太长,要么很昂贵。在这篇会议论文中,我们介绍一种测试薄膜中...
http://www.polymer.cn/research/dis_info18888
 
金刚石N型导电研究
关键字:金刚石半导体 n-型导电
金刚石n型材料是近年来金刚石半导体器件研究的关键因而成为半导体材料领域研究的热点之一。本文通过理论计算对n-型材料研究中存在的磷(P)掺杂材料电子激活能量太高及掺硼p-型金刚石材料出现的导电类型转换现象进行了分析和探讨。
http://www.polymer.cn/research/dis_info862
 
高分子半导体复合薄膜垂直相分离分析新技术
高分子复合薄膜材料在高分子场效应晶体管、太阳能电池和热电器件领域有着广泛的应用前景。然而,由于不同组分间的化学不相容性,或者由于聚合物和衬底的相互作用,薄膜中沿着厚度方向的垂直相分离是非常普遍的现象。垂直相分离往往形成层状结构,对电子器件的性能产生非常大的影响,是该领域研究的重点。尽管如此,目前聚合物薄膜垂直相分离的分析表征技术要么耗时太长,要么很昂贵。在这篇会议论文中,我们介绍一种测试薄膜中...
http://www.polymer.cn/research/sy_info18779
 
高分子半导体复合薄膜垂直相分离分析新技术
高分子复合薄膜材料在高分子场效应晶体管、太阳能电池和热电器件领域有着广泛的应用前景。然而,由于不同组分间的化学不相容性,或者由于聚合物和衬底的相互作用,薄膜中沿着厚度方向的垂直相分离是非常普遍的现象。垂直相分离往往形成层状结构,对电子器件的性能产生非常大的影响,是该领域研究的重点。尽管如此,目前聚合物薄膜垂直相分离的分析表征技术要么耗时太长,要么很昂贵。在这篇会议论文中,我们介绍一种测试薄膜中...
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金刚石N型导电研究
关键字:金刚石半导体 n-型导电
金刚石n型材料是近年来金刚石半导体器件研究的关键因而成为半导体材料领域研究的热点之一。本文通过理论计算对n-型材料研究中存在的磷(P)掺杂材料电子激活能量太高及掺硼p-型金刚石材料出现的导电类型转换现象进行了分析和探讨。
http://www.polymer.cn/research/dis_info862
 
岛津合作开发成功世界最高输出功率的蓝色半导体激光器
―有望实现金属的激光切割、应用于航空航天和电动汽车等产业― 国立研究开发法人新能源和产业技术综合开发机构 株式会社岛津制作所 国立大学法人大阪大学   在NEDO项目中,(株)岛津制作所和大阪大学开发出了世界最高输出功率的蓝色半导体激光器,其输出功率达到1KW。这是该项目去年达成的输出功率的10倍。凭借这种高输出功率,我们在传统蓝色半导体激光技术难以实现的数毫米厚的铜和金的激光切割加工方面取得了...
http://www.polymer.cn/trading/news_detail_11125
 
 
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