精密仪器光电,中国聚合物网

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CdS/Cd纳米复合膜电化学膜模拟法制备及表征
关键字：纳米复合膜电化学膜模拟法光电效应
采用电化学膜模拟法在混合表面活性剂（十六醇和蓖麻油）与低浓度的电解液（CdCl2和CH3CSNH2）之间阴极电沉积制备黑色薄膜。AFM观察得出，薄膜的平均晶粒粒径大约16nm。由纳米膜的XPS、XRD图谱分析得出，纳米膜是由硫化镉和单质镉的混晶构成，其摩尔比为1:2。在光照条件下，此纳米膜电极能够产生阳极光电流，说明光生电流主要靠空穴导电。紫外-可见吸收光谱表明，该纳米复合膜可作为太阳光谱的响应器件。
http://www.polymer.cn/research/dis_info228

立方氮化硼薄膜表面的XPS研究
关键字：立方氮化硼薄膜表面 X射线光电子能谱
研究立方氮化硼薄膜表面的性质对于研究立方氮化硼薄膜的成核机理和应用，具有重要的价值。本文用XPS对立方氮化硼薄膜表面进行研究，并对有关问题进行了讨论。XPS分析表明，立方氮化硼薄膜表面除了B、N外，还含有C和O。从XPS谱图计算得到含有立方相的氮化硼薄膜的N/B为0.90，较接近于氮化硼的理想化学配比1:1；不含立方相的氮化硼薄膜的N/B为0.86，离氮化硼的理想化学配比1:1较远。计算表明立方氮化硼薄膜的顶层六角相的厚度约为0.8...
http://www.polymer.cn/research/dis_info139

a-Si:H薄膜的制备工艺对其光电特性的影响
关键字：氢化非晶硅氢含量光敏性光致衰退
采用MW-ECR CVD方法制备的a-Si:H薄膜在模拟太阳光照射下进行光敏性（σp/σd）和光致衰退测试。对比了有、无热丝辅助沉积的薄膜的光电特性，得出沉积温度是影响薄膜光敏性的主要因素，而适当温度的热丝辅助对于薄膜的光致衰退有一定延缓作用。
http://www.polymer.cn/research/dis_info136

使用Nexera-e 和光电二极管阵列检测器SPD-M30A 对红葡萄酒中的多酚进行分析
红葡萄酒中共存成分过于复杂，多数多酚化合物难以通过常规的HPLC同时分析进行分离定量。但如果使用岛津全二维液相色谱仪Nexera-e，可有效地进行分离。组合使用岛津Nexera-e和光电二极管阵列检测器（PDA），仅进行一次分析，便可在复杂的共存成分中，以最佳波长对目标成分进行分离和定量。
http://www.polymer.cn/trading/data_info/0-548

使用配置高灵敏度检测池的光电二极管阵列检测器SPD-M30A 进行杂质分析
在进行医药品的杂质分析时，除了检测高浓度的主要成分以外，还需要检测医药品中存在的微量杂质。因此要求检测器必须具备宽线性范围。对微量杂质进行高精度定量分析，需要使用高S/N（信噪比）。通常，通过增加样品浓度与进样量提高S/N。但是，增加样品浓度后，主要成分的溶解度可能发生改变，或经加热溶解而分解成分；增加进样量后，因样品溶剂的影响，峰可能变形。因此，为了通过适当的样品浓度和进样量来检测微量杂质，检测器必须...
http://www.polymer.cn/trading/data_info/0-492

含噻吩酰亚胺结构单元的聚合物半导体材料的设计合成及性能研究
关键字：聚合物半导体材料，有机晶体管，光电材料，高分子合成
共轭聚合物半导体材料由于具有质量轻，可溶液加工和可应用于柔性基底的特点在有机晶体管、有机太阳能电池、有机发光二极管、传感器等方面具有广泛的应用.1-4 近年来，尽管聚合物半导体的研究取得了飞速的发展，但综合性能优异的聚合物半导体材料的缺乏仍然是制约有机光电器件应用的瓶颈，而且聚合物半导体材料中分子结构与聚集态结构，聚集态结构与器件性能的关系等基本科学问题还存在争论。
http://www.polymer.cn/research/sy_info16722

共轭聚合物聚集态结构与性能关系的研究
关键字：聚合物半导体材料，薄膜的有序化，聚合物微纳晶，结构与性能关系，聚合物光电器件
聚合物半导体材料具有质轻、价廉、柔韧性好等优点，在有机电子器件中显示了很好的应用前景。聚合物薄膜中分子的有序性差，存在大量的缺陷和陷阱，这使得研究聚合物半导体材料的本征性能，正确评价聚合物半导体材料成为一个很大的挑战。
http://www.polymer.cn/research/sy_info16720

共轭高分子在多尺度下的理论计算与模拟
关键字：二维共轭高分子，分子动力学与量子力学模拟，光电性质
含有共轭侧链之二维共轭高分子，由于其高分子结构具二维共轭特性且有二维电荷传递性质，是目前高分子太阳能研究的重点之一。我们以分子动力学及量子力学来进行模拟，并深入且有系统的了解二维共轭高分子中分子链构形、堆栈排列和光电性质的关联性。从初步的结果中，我们发现在侧链方向接上直向硫环(PV1)和在侧链方向接上横向硫环(PP1)其扭转角的分布范围(τ)皆较 P3HT 广，推测是因为主链和侧链间的距离仅有一个单键的长...
http://www.polymer.cn/research/sy_info16309

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