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磁控溅射Ge薄膜的结晶特性研究
关键字：Ge薄膜 XRD Raman散射光谱晶粒尺寸声子限域理论
采用直流磁控溅射技术制备了不同衬底温度下的Ge单层膜，XRD分析结果表明，当衬底温度低于350℃时Ge膜为非晶结构，高于400℃时开始结晶。并研究了不同尺寸Ge颗粒的Raman散射谱特征，与晶体Ge的散射谱相比，观察到纳米Ge颗粒Raman散射谱的峰位红移与峰形宽化现象；并根据Raman谱的红移量计算了纳米Ge晶粒的平均尺寸，采用声子限域理论较好地解释了实验结果。
http://www.polymer.cn/research/dis_info860

离子束溅射Si/Ge 多层膜的界面结构研究
关键字：Si/Ge 多层膜, 界面结构, 离子束溅射
采用离子束溅射技术，在玻璃衬底上制备了不同周期数的Si/Ge 多层膜样品。通过Raman 光谱和X射线小角衍射对薄膜进行了表征和分析，发现随着生长周期数的增加，层与层之间的互扩散效应逐渐减弱，界面结构逐渐清晰，生长周期为25 的样品界面最平整。
http://www.polymer.cn/research/dis_info6092

磁控溅射沉积的Ge/ZnO复合多层膜的光致发光特性研究
关键字：磁控溅射 Ge/ZnO多层膜光致发光
采用交替溅射Ge和ZnO靶的方法在Si (100) 单晶基片上沉积了Ge/ZnO复合多层膜，并对其在空气中不同温度下进行了快速加热处理。在高温处理中部分Ge成分会被氧化转变成Ge的氧化物，XRD结果表明所制备的薄膜是由ZnO、Ge、GeO和GeO2多晶颗粒组成的复合薄膜，且随着温度的升高晶粒的尺寸加大，结晶度提高。光致发光谱的测量显示，经过高温处理过的Ge/ZnO复合多层膜可以在395nm左右发出强的紫光，随着温度的增加紫峰变尖锐且强度...
http://www.polymer.cn/research/dis_info1093

离子束沉积技术室温生长Si/Ge薄膜的晶化研究
关键字：Si/Ge多层膜离子束外延 XRD Raman散射
研究Si的室温晶化生长对微电子应用技术是十分重要的。本文采用离子束外延技术制备了一系列的Si/Ge多层膜结构，对样品进行X射线和拉曼散射实验表征。研究表明：Ge可诱导膜中Si薄层的室温晶化，当Ge厚度略小于Si薄层厚时，获得最佳的Si室温晶化效果。
http://www.polymer.cn/research/dis_info925

Mn注入n型Ge单晶的磁性研究
关键字：离子注入铁磁性 MnxGe1-x
利用离子注入方法，以离子能量为100keV，剂量为3×1016cm-2，室温下往n型Ge（111）单晶衬底注入Mn+离子，注入后的样品分别在400℃和600℃氮气氛下进行热处理。利用交变梯度样品磁强计室温下对样品进行了磁性测量，利用X射线衍射法分析了样品的结构特性，俄歇电子能谱法分析了热处理样品的组分特性。磁性测试结果表明热处理后的样品表现出室温下的铁磁性。结合样品的组分、结构特征进行磁性分析后认为样品在热处理后形成铁...
http://www.polymer.cn/research/ct_info294

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