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掺锗CZSi禁带宽度的变化 |
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| 资料类型： |
PDF文件
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| 关键词： |
直拉法 晶体生长 SiGe体单晶 禁带宽度 |
| 资料大小： |
293K |
| 所属学科： |
分子表征 |
| 来源： |
来源网络 |
| 简介： |
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采用近红外分光光度仪（UV/VIS）测试了直拉法生长的掺杂不同Ge浓度的硅单晶样品，得到了不同锗浓度下1000~2000nm波长范围内样品的透射率和反射率，利用相关公式计算出单晶的光学吸收系数，根据吸收系数与单晶禁带宽度的关系式作图，得到了不同锗浓度样品的禁带宽度值。结果发现，随锗浓度的提高，样品的禁带宽度逐渐减小。这结论与理论结果相吻合。 |
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| 上传人： |
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| 上传时间： |
2007-07-06 12:58:16 |
| 下载次数： |
592 |
| 消耗积分： |
2
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| ye112 2008-11-10 17:15:29 |
| 写得再详细点好不 |
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