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PVD法制备多晶碘化汞膜的光电特性研究 |
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| 资料类型： |
PDF文件
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| 关键词： |
多晶 碘化汞 物理气相沉积 探测器 |
| 资料大小： |
389K |
| 所属学科： |
性能表征 |
| 来源： |
来源网络 |
| 简介： |
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用热壁物理气相沉积法（Hot－WallPVD）制备出晶体质量较好的多晶HgI2膜，研究了生长参数对沉积膜质量的影响，对多晶HgI2膜用金相显微镜、XRD、红外光谱进行了表征观察及对用多晶HgI2膜制备的探测器采用了暗电流测试；结果表明PVD法制备的多晶HgI2膜纯度高，结构完整性好，均匀性好，并且其相应器件有低的暗电流（电场0.2V/μm时，为25pA/mm2）。 |
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| 上传人： |
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| 上传时间： |
2007-07-17 15:20:49 |
| 下载次数： |
574 |
| 消耗积分： |
2
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