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温度及温度梯度对SiC单晶生长的影响 |
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| 资料类型： |
PDF文件
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| 关键词： |
SiC单晶 温度及温度梯度 生长速率 多型 扩径生长 |
| 资料大小： |
142K |
| 所属学科： |
分子表征 |
| 来源： |
来源网络 |
| 简介： |
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利用升华法在高温低压下生长大直径SiC单晶。通过实验发现：在相同的轴向温度梯度下，SiC晶体平均生长速率随籽晶温度的升高而变大。通过减小轴向温度梯度，降低晶体生长界面的径向过饱和度分布，可以抑制多型的生长。通过优化温场的径向温度梯度，利用φ50mm的籽晶进行生长，得到了φ57mm的SiC单晶，实现了晶体的扩径生长。 |
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| 上传人： |
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| 上传时间： |
2007-07-09 11:41:34 |
| 下载次数： |
589 |
| 消耗积分： |
2
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| hustlb 2009-03-23 9:59:53 |
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