|
|
| 资料类型： |
PDF文件
|
| 关键词： |
SiC单晶 温度及温度梯度 生长速率 多型 扩径生长 |
| 资料大小： |
142K |
| 所属学科： |
分子表征 |
| 来源： |
2004年第五届中国功能材料及其应用学术会议（9.12-9.16，北京.秦皇岛） |
| 简介： |
|
利用升华法在高温低压下生长大直径SiC单晶。通过实验发现：在相同的轴向温度梯度下，SiC晶体平均生长速率随籽晶温度的升高而变大。通过减小轴向温度梯度，降低晶体生长界面的径向过饱和度分布，可以抑制多型的生长。通过优化温场的径向温度梯度，利用φ50mm的籽晶进行生长，得到了φ57mm的SiC单晶，实现了晶体的扩径生长。 |
|
| 作者： |
李现祥 李娟 董捷 王丽 姜守振 韩荣江 徐现刚 王继扬 胡小波 蒋民华
|
| 上传时间： |
2007-07-09 11:41:34 |
| 下载次数： |
617 |
| 消耗积分： |
2
|
| 立即下载： |
|
|
| 友情提示：下载后对该资源进行评论，即可奖励2分。 |
|
| 报告错误： |
1.下载无效
2. 资料明显无价值
3. 资料重复存在 |
