Cu2O 薄膜磁控溅射制备及特性分析，2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉)-中国聚合物网,论文下载

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Cu2O 薄膜磁控溅射制备及特性分析

Cu2O 薄膜磁控溅射制备及特性分析

资料类型：

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关键词：

磁控溅射氧化亚铜光学带隙铜氧化物太阳电池

资料大小：

279K

所属学科：

分子表征

来源：

2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉)

简介：

采用反应射频磁控溅射法，在氩-氧氛围制备Cu-O体系薄膜。在溅射功率、氩气流量一定的条件下，通过改变氧分压，得到不同成份的Cu-O体系薄膜。在氧分压较小条件下，薄膜中主要以金属铜为主，存在少量的Cu2O，随着氧分压的增加，Cu2O成分增加，在氧分压1.4210-2Pa时得到单相Cu2O薄膜。随着氧分压继续增加，Cu2O逐渐转变成CuO。薄膜成份通过X射线分析，薄膜电阻率采用四探针仪测量，薄膜光学特性采用紫外-可见光谱分析，并计算出本次实验所得单相Cu2O光学带隙为2.51eV。

作者：

陈德明，徐刚

上传时间：

2008-08-12 16:09:09

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