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| 资料类型： |
PDF文件
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| 关键词： |
直流磁控溅射 pbte 薄膜 p 型半导体 电阻率 |
| 资料大小： |
449K |
| 所属学科： |
分子表征 |
| 来源： |
2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉) |
| 简介： |
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采用直流磁控溅射的方式，用PbTe靶材溅射沉积在玻璃基底上得到了PbTe薄膜，薄膜生长速率约为100nm/min，通过控制溅射时间可沉积几纳米到几微米的不同厚度的薄膜。PbTe薄膜是面心立方结构的纤维状生长的薄膜，溅射沉积时间对薄膜的晶粒大小和结构有较大影响，溅射时间越长薄膜的晶粒越大，薄膜结构越致密，具有片层状结构。得到的PbTe薄膜是富Te的p型半导体薄膜，其电阻率随着薄膜厚度的增大而减小。 |
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| 作者： |
穆武第，程海峰，唐耿平，陈朝辉
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| 上传时间： |
2008-08-14 16:06:17 |
| 下载次数： |
41 |
| 消耗积分： |
2
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