AlN 薄膜腔声谐振器的制备及性能研究，2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉)-中国聚合物网,论文下载

AlN 薄膜腔声谐振器的制备及性能研究

资料类型：

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关键词：

薄膜腔声谐振器氮化铝压电薄膜频率特性

资料大小：

372K

所属学科：

分子表征

来源：

2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉)

简介：

采用体硅微细加工工艺制备了基于AlN压电材料的薄膜腔声谐振器，研究了器件结构中谐振区形状和面积对谐振器性能的影响。以X射线衍射仪、扫描电镜表征了AlN压电薄膜的结构及形貌，高频网络分析仪表征谐振器频率特性。测试结果表明，谐振器所用AlN压电薄膜具有c轴择优取向及良好的柱状晶结构；器件频率特性良好，谐振频率达1.759GHz，机电耦合系数3.75%，品质因数79.5。通过研究不同谐振区形状、面积谐振器的性能，明确了结构因素对器件频率特性的影响，分析了其中的机制。

作者：

胡宽，顾豪爽，张凯，胡光，吴小鹏，熊娟

上传时间：

2008-09-01 11:42:50

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