Al0.15Ga0.85As/GaAs与In0.15Ga0.85As/GaAs甚长波QWIPs响应率的仿真对比，2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉)-中国聚合物网,论文下载

Al0.15Ga0.85As/GaAs与In0.15Ga0.85As/GaAs甚长波QWIPs响应率的仿真对比

资料类型：

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关键词：

量子阱红外探测器（QWIP） AlGaAs/GaAs InGaAs/GaAs 吸收系数响应率

资料大小：

322K

所属学科：

分子表征

来源：

2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉)

简介：

对In0.15Ga0.85As/GaAs和Al0.15Ga0.85As/GaAs两种甚长波段量子阱红外探测器（QWIP）响应率进行计算。采用物理模型与等效电路模型，结合Crosslight和Spice等软件详细表征了这两种QWIPs的吸收系数、暗电流、响应率、量子效率等物理特性。结果表明随外加偏压的升高QWIP的响应率增加，T＝40K时，In0.15Ga0.85As/GaAsQWIP的响应率明显比Al0.15Ga0.85As/GaAsQWIP高出2倍以上，通过对量子效率的对比，使仿真结果得到验证。

作者：

雷玮，郭方敏，陆卫

上传时间：

2008-09-10 13:35:31

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