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| 资料类型： |
PDF文件
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| 关键词： |
Ge/Si 纳米多层膜 PL 谱 红光 |
| 资料大小： |
302K |
| 所属学科： |
分子表征 |
| 来源： |
2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉) |
| 简介： |
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采用磁控溅射设备，当衬底温度为500℃时，在Si(100)基片上磁控溅射生长Ge/Si多层膜样品。使用Raman和低角X射线技术对样品进行检测和研究。在红光波段对样品的光致发光进行了研究，结果表明在红光波段发光峰位来源于薄膜的非晶结构及其薄膜所产生的缺陷；发光峰的强度和峰形受Ge子层和Si子层厚度的影响。 |
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| 作者： |
杨瑞东，陈寒娴，邓荣斌，孔令德，陶东平，王茺，杨宇
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| 上传时间： |
2008-09-11 14:36:23 |
| 下载次数： |
28 |
| 消耗积分： |
2
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