Fabrication and characterization of air-stable, ambipolar heterojunction-based organic light-emitting field-effect transistors，2009年第8届国际共轭高分子与有机纳米结构光探测大会（6.6-6.10，北京)-中国聚合物网,论文下载

Fabrication and characterization of air-stable, ambipolar heterojunction-based organic light-emitting field-effect transistors

资料类型：

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关键词：

light-emitting field-effect transistors

资料大小：

80K

所属学科：

分子表征

来源：

2009年第8届国际共轭高分子与有机纳米结构光探测大会（6.6-6.10，北京)

简介：

Wepresentourfirstapplicationoftheneutralclusterbeamdeposition(NCBD)methodtofabricatebilayerheterojunction-basedorganiclight-emittingfield-effecttransistors(OLEFETs)bysuperimposingtwolayersofa,w-dihexylsexithiophene(DH6T)andN,N-ditridecylperylene-3,4,9,10-tetracarboxylicdiimide(P13)successively.Baseduponwell-balancedambipolarity(holeandelectronfield-effectmobilitiesof2.22×10-2and2.78×10-2cm2/Vs),theair-stableOLEFETshavedemonstratedgoodfield-effectcharacteristics,stress-freeoperationalstabilityandelectroluminescenceunderambientcondition

作者：

Hoon-seok Seo,Ying Zhang, Jong-ho Choi

上传时间：

2009-07-29 10:10:53

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