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负偏压增强金刚石膜与衬底结合强度的理论研究 |
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| 资料类型： |
PDF文件
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| 关键词： |
金刚石膜 硅衬底 结合力 |
| 资料大小： |
100K |
| 所属学科： |
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| 来源： |
来源网络 |
| 简介： |
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由于金刚石与Si有较大的晶格失配度和表面能差，利用化学气相沉积（CVD）制备金刚石膜时，金刚石在镜面光滑的Si表面上成核率非常低。而负衬底偏压能够提高金刚石在镜面光滑的Si表面上的成核率，表明金刚石核与Si表面的结合力也得到增强。利用负偏压增强CVD系统制备金刚石膜时，气体辉光放电产生的离子对Si表面轰击，使得Si衬底表面产生了微缺陷（凹坑），增大了金刚石膜与Si衬底的结合面积。本工作主要从理论上研究离子轰击对金刚石膜与Si衬底结合力的影响。 |
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| 上传人： |
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| 上传时间： |
2007-07-11 14:23:33 |
| 下载次数： |
7018 |
| 消耗积分： |
2
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