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您现在的位置：中国聚合物网 > 资料 > “中微子 宇宙射线 探测器 时间分辨率 望远镜” 的搜索结果 共有结果22,当前从第11条到第20条,本次搜索耗时0.0157096秒

“紫外·可见·近红外”全光谱响应聚合物光电探测器     通过Suzuki偶联反应，合成了基于噻吩一吡咯一噻吩(TPT)为电子给体，二氮杂并环戊二烯(DAP)为电子受体的D-A型窄带隙共轭聚合物PTPTDAP[l]，并以该聚合物与C60。衍生物PC61，BM以1:2的比例共混作为活性层，制备了器件结构为ITO/PEDOT: PSS( 30 nm)／活性层(AC，100 nm)/Al(IOO nm)的光电探测器件。在此基础上，采用多种分析测试手段对所制备的聚合物及探测器件的性能进行了研究。&... http://www.polymer.cn/research/sy_info15561   “紫外·可见·近红外”全光谱响应聚合物光电探测器     通过Suzuki偶联反应，合成了基于噻吩一吡咯一噻吩(TPT)为电子给体，二氮杂并环戊二烯(DAP)为电子受体的D-A型窄带隙共轭聚合物PTPTDAP[l]，并以该聚合物与C60。衍生物PC61，BM以1:2的比例共混作为活性层，制备了器件结构为ITO/PEDOT: PSS( 30 nm)／活性层(AC，100 nm)/Al(IOO nm)的光电探测器件。在此基础上，采用多种分析测试手段对所制备的聚合物及探测器件的性能进行了研究。&... http://www.polymer.cn/research/dis_info17505   “紫外·可见·近红外”全光谱响应聚合物光电探测器     通过Suzuki偶联反应，合成了基于噻吩一吡咯一噻吩(TPT)为电子给体，二氮杂并环戊二烯(DAP)为电子受体的D-A型窄带隙共轭聚合物PTPTDAP[l]，并以该聚合物与C60。衍生物PC61，BM以1:2的比例共混作为活性层，制备了器件结构为ITO/PEDOT: PSS( 30 nm)／活性层(AC，100 nm)/Al(IOO nm)的光电探测器件。在此基础上，采用多种分析测试手段对所制备的聚合物及探测器件的性能进行了研究。&... http://www.polymer.cn/research/sy_info15561   “紫外·可见·近红外”全光谱响应聚合物光电探测器     通过Suzuki偶联反应，合成了基于噻吩一吡咯一噻吩(TPT)为电子给体，二氮杂并环戊二烯(DAP)为电子受体的D-A型窄带隙共轭聚合物PTPTDAP[l]，并以该聚合物与C60。衍生物PC61，BM以1:2的比例共混作为活性层，制备了器件结构为ITO/PEDOT: PSS( 30 nm)／活性层(AC，100 nm)/Al(IOO nm)的光电探测器件。在此基础上，采用多种分析测试手段对所制备的聚合物及探测器件的性能进行了研究。&... http://www.polymer.cn/research/dis_info17505   PVD法制备多晶碘化汞膜的光电特性研究 关键字：多晶 碘化汞 物理气相沉积 探测器 用热壁物理气相沉积法（Hot－Wall PVD）制备出晶体质量较好的多晶HgI2 膜，研究了生长参数对沉积膜质量的影响，对多晶HgI2 膜用金相显微镜、XRD、红外光谱进行了表征观察及对用多晶HgI2膜制备的探测器采用了暗电流测试；结果表明PVD法制备的多晶HgI2膜纯度高，结构完整性好，均匀性好，并且其相应器件有低的暗电流（电场0.2V/μm时，为25pA/mm2）。 http://www.polymer.cn/research/ct_info387   Al0.15Ga0.85As/GaAs与In0.15Ga0.85As/GaAs甚长波QWIPs响应率的仿真对比 关键字：量子阱红外探测器（QWIP）,AlGaAs/GaAs,InGaAs/GaAs,吸收系数,响应率 对In0.15Ga0.85As/GaAs和Al0.15Ga0.85As/GaAs两种甚长波段量子阱红外探测器（QWIP）响应率进行计算。采用物理模型与等效电路模型，结合Crosslight和Spice等软件详细表征了这两种QWIPs的吸收系数、暗电流、响应率、量子效率等物理特性。结果表明随外加偏压的升高QWIP的响应率增加，T＝40K时，In0.15Ga0.85As/GaAs QWIP的响应率明显比Al0.15Ga0.85As/GaAs QWIP高出2倍以上，通过对量子效率的对比，使仿真结果得到验证。 http://www.polymer.cn/research/dis_info7336   PVD法制备多晶碘化汞膜的光电特性研究 关键字：多晶 碘化汞 物理气相沉积 探测器 用热壁物理气相沉积法（Hot－Wall PVD）制备出晶体质量较好的多晶HgI2 膜，研究了生长参数对沉积膜质量的影响，对多晶HgI2 膜用金相显微镜、XRD、红外光谱进行了表征观察及对用多晶HgI2膜制备的探测器采用了暗电流测试；结果表明PVD法制备的多晶HgI2膜纯度高，结构完整性好，均匀性好，并且其相应器件有低的暗电流（电场0.2V/μm时，为25pA/mm2）。 http://www.polymer.cn/research/dis_info1077   PVD法制备多晶碘化汞膜的光电特性研究 关键字：多晶 碘化汞 物理气相沉积 探测器 用热壁物理气相沉积法（Hot－Wall PVD）制备出晶体质量较好的多晶HgI2 膜，研究了生长参数对沉积膜质量的影响，对多晶HgI2 膜用金相显微镜、XRD、红外光谱进行了表征观察及对用多晶HgI2膜制备的探测器采用了暗电流测试；结果表明PVD法制备的多晶HgI2膜纯度高，结构完整性好，均匀性好，并且其相应器件有低的暗电流（电场0.2V/μm时，为25pA/mm2）。 http://www.polymer.cn/research/ct_info387   Al0.15Ga0.85As/GaAs与In0.15Ga0.85As/GaAs甚长波QWIPs响应率的仿真对比 关键字：量子阱红外探测器（QWIP）,AlGaAs/GaAs,InGaAs/GaAs,吸收系数,响应率 对In0.15Ga0.85As/GaAs和Al0.15Ga0.85As/GaAs两种甚长波段量子阱红外探测器（QWIP）响应率进行计算。采用物理模型与等效电路模型，结合Crosslight和Spice等软件详细表征了这两种QWIPs的吸收系数、暗电流、响应率、量子效率等物理特性。结果表明随外加偏压的升高QWIP的响应率增加，T＝40K时，In0.15Ga0.85As/GaAs QWIP的响应率明显比Al0.15Ga0.85As/GaAs QWIP高出2倍以上，通过对量子效率的对比，使仿真结果得到验证。 http://www.polymer.cn/research/dis_info7336   PVD法制备多晶碘化汞膜的光电特性研究 关键字：多晶 碘化汞 物理气相沉积 探测器 用热壁物理气相沉积法（Hot－Wall PVD）制备出晶体质量较好的多晶HgI2 膜，研究了生长参数对沉积膜质量的影响，对多晶HgI2 膜用金相显微镜、XRD、红外光谱进行了表征观察及对用多晶HgI2膜制备的探测器采用了暗电流测试；结果表明PVD法制备的多晶HgI2膜纯度高，结构完整性好，均匀性好，并且其相应器件有低的暗电流（电场0.2V/μm时，为25pA/mm2）。 http://www.polymer.cn/research/dis_info1077

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