半导体激光治疗仪,中国聚合物网

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稀释磁性半导体Pb0.954Mn0.046Se纳米晶体的合成和XANES测试
关键字：稀释磁性半导体纳米晶体 XANES
采用高温溶剂合成法制备了稀释磁性半导体(DMS)Pb0.954Mn0.046Se纳米晶体(NCs)。使用TEM和XANES测试手段对此DMS纳米晶体进行了表征。测试结果表明，纳米晶体尺寸分布较均匀，而且掺杂在PbSe中的Mn离子仍是+2价的，同时也证实了Mn离子的掺杂导致了DMS NCs 的晶格发生了少许的改变。
http://www.polymer.cn/research/dis_info998

稀磁半导体研究的最新进展
关键字：稀磁半导体居里温度自旋-自旋交换分子束外延法
本文系统地对于DMS的发展历史及研究现状进行了归纳总结，介绍了稀磁半导体特殊性质和机理，概述了目前DMS材料的制备方法，并对于DMS的应用前景和将来的研究方向进行了展望。
http://www.polymer.cn/research/dis_info855

高分子半导体复合薄膜垂直相分离分析新技术
高分子复合薄膜材料在高分子场效应晶体管、太阳能电池和热电器件领域有着广泛的应用前景。然而，由于不同组分间的化学不相容性，或者由于聚合物和衬底的相互作用，薄膜中沿着厚度方向的垂直相分离是非常普遍的现象。垂直相分离往往形成层状结构，对电子器件的性能产生非常大的影响，是该领域研究的重点。尽管如此，目前聚合物薄膜垂直相分离的分析表征技术要么耗时太长，要么很昂贵。在这篇会议论文中，我们介绍一种测试薄膜中...
http://www.polymer.cn/research/sy_info18779

金刚石N型导电研究
关键字：金刚石半导体 n-型导电
金刚石ｎ型材料是近年来金刚石半导体器件研究的关键因而成为半导体材料领域研究的热点之一。本文通过理论计算对n-型材料研究中存在的磷(P)掺杂材料电子激活能量太高及掺硼p-型金刚石材料出现的导电类型转换现象进行了分析和探讨。
http://www.polymer.cn/research/dis_info862

有机半导体异质结及其在叠层发光二极管中的应用
有机半导体异质结是由两种不同类型有机半导体所组成的结。
http://www.polymer.cn/research/dis_info15224

直流磁控溅射制备PbTe 薄膜
关键字：直流磁控溅射,pbte 薄膜,p 型半导体,电阻率
采用直流磁控溅射的方式，用PbTe 靶材溅射沉积在玻璃基底上得到了PbTe 薄膜，薄膜生长速率约为100nm/min，通过控制溅射时间可沉积几纳米到几微米的不同厚度的薄膜。PbTe 薄膜是面心立方结构的纤维状生长的薄膜，溅射沉积时间对薄膜的晶粒大小和结构有较大影响，溅射时间越长薄膜的晶粒越大，薄膜结构越致密，具有片层状结构。得到的PbTe 薄膜是富Te的p 型半导体薄膜，其电阻率随着薄膜厚度的增大而减小。
http://www.polymer.cn/research/dis_info6930

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