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微米级硫化物半导体的红外发射率研究
关键字:硫化物半导体 红外发射率 晶格畸变 晶格振动
为了制备出在8~14µm红外波段具有较低红外发射率的粉体,以硫化镉(CdS)、硫化锌(ZnS)为原料,采用了气氛固相烧结法制备了微米级的CdZnS固溶体粉体。采用XRD、BET(ASAT2010)比表面仪表征,研究了粉体的结构、粒度等特征。通过IR-1红外发射率测量仪器测试了粉体在8~14µm波段的红外发射率。着重讨论了粉体的晶格畸变和8~14µm波段红外发射率之间的关系,并对此给出了一定的解释...
http://www.polymer.cn/research/dis_info1107
 
稀磁半导体研究的最新进展
关键字:稀磁半导体 居里温度 自旋-自旋交换 分子束外延法
本文系统地对于DMS的发展历史及研究现状进行了归纳总结,介绍了稀磁半导体特殊性质和机理,概述了目前DMS材料的制备方法,并对于DMS的应用前景和将来的研究方向进行了展望。
http://www.polymer.cn/research/dis_info855
 
基于扩展稠环芳酰亚胺的高性能有机半导体
关键字:有机电子学,有机半导体,茈酰亚胺
    缺/富电子共轭分子体系作为电子/空穴传输材料和给/受体材料,是有机场效应管和太阳能电池等分子器件领域的关键功能材料。近年来我们围绕扩展稠环芳酰亚胺的高效合成和功能调控开展了深入研究,取得了重要进展。基于茈酰亚胺及萘酰亚胺自偶联/交叉偶联反应,成功制备了系列新型缺电子共轭分子体系,并系统研究了其物理化学性能,筛选出了综合性能优异的电子传输材料.
http://www.polymer.cn/research/sy_info15524
 
基于扩展稠环芳酰亚胺的高性能有机半导体
关键字:有机电子学,有机半导体,茈酰亚胺
    缺/富电子共轭分子体系作为电子/空穴传输材料和给/受体材料,是有机场效应管和太阳能电池等分子器件领域的关键功能材料。近年来我们围绕扩展稠环芳酰亚胺的高效合成和功能调控开展了深入研究,取得了重要进展。基于茈酰亚胺及萘酰亚胺自偶联/交叉偶联反应,成功制备了系列新型缺电子共轭分子体系,并系统研究了其物理化学性能,筛选出了综合性能优异的电子传输材料.
http://www.polymer.cn/research/dis_info17495
 
自旋电子学功能材料
关键字:磁电阻效应 自旋电子学 磁电子学 半导体自旋电子学 稀磁半导体
巨磁电阻效应的发现开拓了磁电子学的新领域,20世纪90年代,磁电子学得到迅速的发展,并在应用上取得显著的经济效益与巨大的社会效应,本世纪初,研究的重点已转移到半导体自旋电子学的新方向,并已取得重要的进展。本文将结合我们科研组的研究工作,概述从磁电子学到半导体自旋电子学材料的发展,重点介绍稀磁半导体材料研究的进展。
http://www.polymer.cn/research/dis_info1163
 
微米级硫化物半导体的红外发射率研究
关键字:硫化物半导体 红外发射率 晶格畸变 晶格振动
为了制备出在8~14µm红外波段具有较低红外发射率的粉体,以硫化镉(CdS)、硫化锌(ZnS)为原料,采用了气氛固相烧结法制备了微米级的CdZnS固溶体粉体。采用XRD、BET(ASAT2010)比表面仪表征,研究了粉体的结构、粒度等特征。通过IR-1红外发射率测量仪器测试了粉体在8~14µm波段的红外发射率。着重讨论了粉体的晶格畸变和8~14µm波段红外发射率之间的关系,并对此给出了一定的解释...
http://www.polymer.cn/research/dis_info1107
 
稀磁半导体研究的最新进展
关键字:稀磁半导体 居里温度 自旋-自旋交换 分子束外延法
本文系统地对于DMS的发展历史及研究现状进行了归纳总结,介绍了稀磁半导体特殊性质和机理,概述了目前DMS材料的制备方法,并对于DMS的应用前景和将来的研究方向进行了展望。
http://www.polymer.cn/research/dis_info855
 
高分子半导体复合薄膜垂直相分离分析新技术
高分子复合薄膜材料在高分子场效应晶体管、太阳能电池和热电器件领域有着广泛的应用前景。然而,由于不同组分间的化学不相容性,或者由于聚合物和衬底的相互作用,薄膜中沿着厚度方向的垂直相分离是非常普遍的现象。垂直相分离往往形成层状结构,对电子器件的性能产生非常大的影响,是该领域研究的重点。尽管如此,目前聚合物薄膜垂直相分离的分析表征技术要么耗时太长,要么很昂贵。在这篇会议论文中,我们介绍一种测试薄膜中...
http://www.polymer.cn/research/sy_info18779
 
高分子半导体复合薄膜垂直相分离分析新技术
高分子复合薄膜材料在高分子场效应晶体管、太阳能电池和热电器件领域有着广泛的应用前景。然而,由于不同组分间的化学不相容性,或者由于聚合物和衬底的相互作用,薄膜中沿着厚度方向的垂直相分离是非常普遍的现象。垂直相分离往往形成层状结构,对电子器件的性能产生非常大的影响,是该领域研究的重点。尽管如此,目前聚合物薄膜垂直相分离的分析表征技术要么耗时太长,要么很昂贵。在这篇会议论文中,我们介绍一种测试薄膜中...
http://www.polymer.cn/research/dis_info18888
 
金刚石N型导电研究
关键字:金刚石半导体 n-型导电
金刚石n型材料是近年来金刚石半导体器件研究的关键因而成为半导体材料领域研究的热点之一。本文通过理论计算对n-型材料研究中存在的磷(P)掺杂材料电子激活能量太高及掺硼p-型金刚石材料出现的导电类型转换现象进行了分析和探讨。
http://www.polymer.cn/research/dis_info862
 
 
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