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Si(111)衬底上非晶态GaN薄膜的晶化过程  
Si(111)衬底上非晶态GaN薄膜的晶化过程
资料类型: PDF文件
关键词: 非晶GaN  多晶GaN  氨气  Ga  
资料大小: 274K
所属学科: 分子表征
来源: 2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19,武汉)
简介:
采用磁控溅射法在Si(111)衬底上直接淀积GaN薄膜。通过X射线衍射谱(XRD)、X光电子能谱(XPS)和扫描电子显微镜(SEM)研究GaN薄膜由非晶态向多晶态的转化过程。实验结果表明:(1)在900℃氮气气氛中退火,非晶态GaN保持不变;(2)在900℃氨气气氛中退火,虽然非晶态GaN转化为多晶态GaN,但却出现中间相金属Ga;(3)在非晶态GaN向多晶态GaN转化过程中,GaN晶粒将逐渐增大。
作者: 肖洪地,马洪磊,刘蓉,马瑾,林兆军
上传时间: 2008-09-10 13:40:54
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