Si基底上TiN膜不同参数（分压，膜厚，束流强度）下的PAT缺陷分析，2004年第五届中国功能材料及其应用学术会议（9.12-9.16，北京.秦皇岛）-中国聚合物网,论文下载

Si基底上TiN膜不同参数（分压，膜厚，束流强度）下的PAT缺陷分析

资料类型：

PDF文件

关键词：

BAD PAT 缺陷

资料大小：

94K

所属学科：

分子表征

来源：

2004年第五届中国功能材料及其应用学术会议（9.12-9.16，北京.秦皇岛）

简介：

用IBAD（ionbeamassisteddeposition）方法镀TiN膜不但有很好的膜基结合力，而且纳米硬度、耐腐、耐磨性能可通过高低能结合的方法来提高。本文作者用PAT（positronannihilationtechnique）技术分析了在同一高低能条件下不同参数对Si基底的缺陷的影响，解释并论证了改进实验的方法。

作者：

冯宏剑赵杰

上传时间：

2007-07-11 14:34:57

下载次数：

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