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| 资料类型： |
PDF文件
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| 关键词： |
ZnO纳米线 光刻 图形化生长 气相输运 水热合成 |
| 资料大小： |
267K |
| 所属学科： |
分子表征 |
| 来源： |
2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19，武汉) |
| 简介： |
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采用光刻和射频磁控溅射技术在Si衬底上制备了图形化的ZnO种子层薄膜。分别采用气相输运和水热合成法，制备了最小单元为30μm的图形化的ZnO纳米线阵列。X射线衍射(XRD)分析显示单晶纳米线阵列具有高度的c轴[001]择优取向生长性质。从扫描电子显微镜(SEM)照片看出，阵列图形完整清晰，边缘整齐。纳米线阵列在室温下光致发光(PL)谱线中在380nm左右具有强烈的紫外发射峰，可见光区域发射峰得到了抑制，证明ZnO纳米线阵列氧空位缺陷少，晶体质量高。 |
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| 作者： |
艾磊，方国家，刘逆霜，王明军，赵兴中
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| 上传时间： |
2008-09-08 14:02:38 |
| 下载次数： |
35 |
| 消耗积分： |
2
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