精密仪器光电,中国聚合物网

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含二氟苯基和烷氧基的聚苯乙烯撑得合成剂荧光性质
关键字：聚苯乙烯撑氟合成荧光光电材料
通过结构修饰设计并合成稳定、高效、可溶的聚合物光电材料以及探索其结构与性能的关系是当前有机光电材料领域研究的热点。
http://www.polymer.cn/research/dis_info2601

聚甲亚胺（Schiff base）的研究进展
关键字：聚Schiff base聚甲亚胺聚席夫碱光电性能耐高温树脂空穴输送材料
综述了聚甲亚胺的研究进展，结合本课题组的工作，评述了聚合物合成、结构及各种性能、存在的问题，指出了研究前景与发展方向。
http://www.polymer.cn/research/dis_info1089

PVD法制备多晶碘化汞膜的光电特性研究
关键字：多晶碘化汞物理气相沉积探测器
用热壁物理气相沉积法（Hot－Wall PVD）制备出晶体质量较好的多晶HgI2 膜，研究了生长参数对沉积膜质量的影响，对多晶HgI2 膜用金相显微镜、XRD、红外光谱进行了表征观察及对用多晶HgI2膜制备的探测器采用了暗电流测试；结果表明PVD法制备的多晶HgI2膜纯度高，结构完整性好，均匀性好，并且其相应器件有低的暗电流（电场0.2V/μm时，为25pA/mm2）。
http://www.polymer.cn/research/dis_info1077

MW-ECR制备的氢化非晶硅光电特性研究
关键字：氢化非晶硅薄膜暗电导激活能光敏性
通过对热丝辅助微波电子回旋共振(HW-MW-ECRCVD)法制备的氢化非晶硅(a－Si:H)薄膜进行暗电导与温度关系的测试，可得到暗电导激活能(Ea)，并研究了Ea与a－Si:H薄膜光敏性(σph/σd)的关系；发现随着Ea 的增大，费米能级位置下移，缺陷态密度减少，薄膜的光敏性变好。
http://www.polymer.cn/research/dis_info1063

超声热解法制备SnO2∶F薄膜加热管及其性能研究
关键字：薄膜技术 SnO2:F薄膜光电特性超声喷涂热解法
采用超声喷涂热解淀积方法将SnO2∶F透明导电薄膜制备于耐高温的硼硅玻璃管内壁。XRD物相分析及SEM、STM形貌分析表明，SnO2∶F薄膜为多晶结构，平均粒径50nm。分析了薄膜中F取代SnO2中O的形成过程和薄膜电导率增强的机理，解释了不同的工艺条件对薄膜的结构、光电特性的影响，确定了制备SnO2∶F薄膜加热管的最佳工艺条件。该条件下制备的薄膜的电阻率达4×10-4Ω·cm，可见光透过率高于90%，功率密度平均可达35&nbs...
http://www.polymer.cn/research/dis_info826

用于微测辐射热计的氧化钒薄膜的光电性能研究
关键字：氧化钒相变红外吸收特性热稳定性
采用磁控溅射方法在p-Si (100) 衬底上制备了VO2和择优取向的V6O13混合相成分的薄膜。利用X射线衍射 (XRD) 分析、原子力显微镜 (AFM)、傅立叶红外光谱 (FT-IR) 分析及四探针测试方法，研究了薄膜的相成分和红外吸收特性，并测试分析了薄膜的电学热稳定性。研究结果表明，通过这种方法制备的氧化钒薄膜具有较低的电阻率和较高的电阻温度系数（TCR），并且具有良好的热稳定性，可以作为微测辐射热...
http://www.polymer.cn/research/dis_info649

纳米硅薄膜及其太阳电池研究进展
关键字：纳米硅薄膜太阳电池光电性能进展
纳米硅薄膜具有新颖的结构特征和一系列独特的物理性质，可望应用于新型光电子器件、量子功能器件、集成电路等领域。本文综述了纳米硅薄膜的研究现状及其优良的光电性能和纳米硅薄膜太阳电池的研究进展，指出在生产制备与性能方面纳米硅薄膜太阳电池所具有的优势，具有良好的发展前景。
http://www.polymer.cn/research/dis_info233

CdS/Cd纳米复合膜电化学膜模拟法制备及表征
关键字：纳米复合膜电化学膜模拟法光电效应
采用电化学膜模拟法在混合表面活性剂（十六醇和蓖麻油）与低浓度的电解液（CdCl2和CH3CSNH2）之间阴极电沉积制备黑色薄膜。AFM观察得出，薄膜的平均晶粒粒径大约16nm。由纳米膜的XPS、XRD图谱分析得出，纳米膜是由硫化镉和单质镉的混晶构成，其摩尔比为1:2。在光照条件下，此纳米膜电极能够产生阳极光电流，说明光生电流主要靠空穴导电。紫外-可见吸收光谱表明，该纳米复合膜可作为太阳光谱的响应器件。
http://www.polymer.cn/research/dis_info228

立方氮化硼薄膜表面的XPS研究
关键字：立方氮化硼薄膜表面 X射线光电子能谱
研究立方氮化硼薄膜表面的性质对于研究立方氮化硼薄膜的成核机理和应用，具有重要的价值。本文用XPS对立方氮化硼薄膜表面进行研究，并对有关问题进行了讨论。XPS分析表明，立方氮化硼薄膜表面除了B、N外，还含有C和O。从XPS谱图计算得到含有立方相的氮化硼薄膜的N/B为0.90，较接近于氮化硼的理想化学配比1:1；不含立方相的氮化硼薄膜的N/B为0.86，离氮化硼的理想化学配比1:1较远。计算表明立方氮化硼薄膜的顶层六角相的厚度约为0.8...
http://www.polymer.cn/research/dis_info139

a-Si:H薄膜的制备工艺对其光电特性的影响
关键字：氢化非晶硅氢含量光敏性光致衰退
采用MW-ECR CVD方法制备的a-Si:H薄膜在模拟太阳光照射下进行光敏性（σp/σd）和光致衰退测试。对比了有、无热丝辅助沉积的薄膜的光电特性，得出沉积温度是影响薄膜光敏性的主要因素，而适当温度的热丝辅助对于薄膜的光致衰退有一定延缓作用。
http://www.polymer.cn/research/dis_info136

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