精密仪器光电,中国聚合物网

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纳米硅薄膜及其太阳电池研究进展
关键字：纳米硅薄膜太阳电池光电性能进展
纳米硅薄膜具有新颖的结构特征和一系列独特的物理性质，可望应用于新型光电子器件、量子功能器件、集成电路等领域。本文综述了纳米硅薄膜的研究现状及其优良的光电性能和纳米硅薄膜太阳电池的研究进展，指出在生产制备与性能方面纳米硅薄膜太阳电池所具有的优势，具有良好的发展前景。
http://www.polymer.cn/research/dis_info233

CdS/Cd纳米复合膜电化学膜模拟法制备及表征
关键字：纳米复合膜电化学膜模拟法光电效应
采用电化学膜模拟法在混合表面活性剂（十六醇和蓖麻油）与低浓度的电解液（CdCl2和CH3CSNH2）之间阴极电沉积制备黑色薄膜。AFM观察得出，薄膜的平均晶粒粒径大约16nm。由纳米膜的XPS、XRD图谱分析得出，纳米膜是由硫化镉和单质镉的混晶构成，其摩尔比为1:2。在光照条件下，此纳米膜电极能够产生阳极光电流，说明光生电流主要靠空穴导电。紫外-可见吸收光谱表明，该纳米复合膜可作为太阳光谱的响应器件。
http://www.polymer.cn/research/dis_info228

立方氮化硼薄膜表面的XPS研究
关键字：立方氮化硼薄膜表面 X射线光电子能谱
研究立方氮化硼薄膜表面的性质对于研究立方氮化硼薄膜的成核机理和应用，具有重要的价值。本文用XPS对立方氮化硼薄膜表面进行研究，并对有关问题进行了讨论。XPS分析表明，立方氮化硼薄膜表面除了B、N外，还含有C和O。从XPS谱图计算得到含有立方相的氮化硼薄膜的N/B为0.90，较接近于氮化硼的理想化学配比1:1；不含立方相的氮化硼薄膜的N/B为0.86，离氮化硼的理想化学配比1:1较远。计算表明立方氮化硼薄膜的顶层六角相的厚度约为0.8...
http://www.polymer.cn/research/dis_info139

a-Si:H薄膜的制备工艺对其光电特性的影响
关键字：氢化非晶硅氢含量光敏性光致衰退
采用MW-ECR CVD方法制备的a-Si:H薄膜在模拟太阳光照射下进行光敏性（σp/σd）和光致衰退测试。对比了有、无热丝辅助沉积的薄膜的光电特性，得出沉积温度是影响薄膜光敏性的主要因素，而适当温度的热丝辅助对于薄膜的光致衰退有一定延缓作用。
http://www.polymer.cn/research/dis_info136

高分子包埋金属离子的纳米结构与性能研究
关键字：自组装，金属离子，嵌段高分子，光电子性能
金属-高分子杂化材料兼具了金属离子和高分子材料两者的优点。本工作结合聚合物自组装的概念和原理，金属离子不仅扮演着发光中心的作用，也起着诱导聚合物体系进行自组装，进而决定了聚合物的形貌结构。通过调控聚合物的类型，各反应物配比和浓度等诸多因素，可以实现对金属高分子材料的可控制备，实现聚集体形貌可调，性质可控。
http://www.polymer.cn/research/sy_info16959

共轭有机光电材料的合成方法研究
关键字：有机小分子太阳能电池，C-H键直接芳基化，吡咯并吡咯二酮
随着近年有机光电子学的快速发展，对共轭有机光电材料的合成方法也相应提出了更高要求。相比于传统的偶联反应，C-H键直接芳基化(DACH)反应具有高的原子经济性、步骤简化及成本低廉等优势。吡咯并吡咯二酮( DPP)是有机光电材料领域重要的结构单元，DPP类衍生物的合成一般采用Suzuki、Stille及Negishi等经典偶联反应。我们成功采用DACH反应设计合成了系列DPP衍生物，优化了反应条件，其中多种分子是传...
http://www.polymer.cn/research/sy_info15496

碳纤维结构的常用表征技术
关键字：　碳纤维;表征;X射线衍射;透射电子显微镜;X光电子能谱;小角X射线散射
　本文结合近几年的研究报道,归纳了决定碳纤维性能及应用的两个方面内部体结构和表面结构的一些常用表征技术。碳纤维聚集态的表征主要通过X- 射线衍射(广角、小角) 、电子衍射;碳纤维形态结构特征常用透射电子显微镜;碳纤维表面结构的表征方法有扫描电子显微镜(SEM) ,原子力显微镜(AFM) ,扫描隧道显微镜(STM) 以及扫描力显微镜(SFM) 。其中,SEM能够看到整个纤维的表面形貌,而AFM、STM、SFM用于表面...
http://www.polymer.cn/research/ct_info941

PVD法制备多晶碘化汞膜的光电特性研究
关键字：多晶碘化汞物理气相沉积探测器
用热壁物理气相沉积法（Hot－Wall PVD）制备出晶体质量较好的多晶HgI2 膜，研究了生长参数对沉积膜质量的影响，对多晶HgI2 膜用金相显微镜、XRD、红外光谱进行了表征观察及对用多晶HgI2膜制备的探测器采用了暗电流测试；结果表明PVD法制备的多晶HgI2膜纯度高，结构完整性好，均匀性好，并且其相应器件有低的暗电流（电场0.2V/μm时，为25pA/mm2）。
http://www.polymer.cn/research/ct_info387

MW-ECR制备的氢化非晶硅光电特性研究
关键字：氢化非晶硅薄膜暗电导激活能光敏性
通过对热丝辅助微波电子回旋共振(HW-MW-ECRCVD)法制备的氢化非晶硅(a－Si:H)薄膜进行暗电导与温度关系的测试，可得到暗电导激活能(Ea)，并研究了Ea与a－Si:H薄膜光敏性(σph/σd)的关系；发现随着Ea 的增大，费米能级位置下移，缺陷态密度减少，薄膜的光敏性变好。
http://www.polymer.cn/research/ct_info383

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